首先，已知一个IC生成多张掩模，这些掩模有上下层的不同，各层有各自的任务。 下图是一个简单的掩模示例，以集成电路中最基本的组件CMOS为例。 CMOS的全名是互补金属氧化物半导体(complementary  metal-oxide-semiconductor  )，将NMOS和PMOS两者结合形成COS。 什么是金属氧化物半导体(MOS  )？ 这种芯片中广泛使用的组件很难解释，一般读者也很难理解，所以在这里不怎么详细讨论。


在下图中，左边是经过电路布局和绕组形成的电路图，前面有各色表示掩模。 右边是各口罩张开的样子。 制作从基底层开始，按照前一个IC芯片的制造中提出的方法阶段性地制作，最终制作所希望的芯片。


到目前为止，应该对IC设计有初步了解。 明确了整体上IC设计是非常复杂的专家。 另外，由于计算机辅助软件的成熟，IC设计加快了。 IC设计工厂依赖于工程师的智能，这里列出的每个步骤都有专业知识，可以独立成为多个专业科目


但是，使用这些密封法的话，需要相当大的体积。 现在的移动设备、可穿戴设备等需要相当多的组件，如果各个组件独立封装，则组合需要非常大的空间，因此现在与SoC(System  On  Chip  )一起


智能手机刚刚兴起，在各大财经杂志上发现了SoC这个名词，SoC到底是什么呢？ 简单来说，就是将本来具有不同功能的IC合并成一个芯片。 藉通过这个方法，不仅可以缩小体积，还可以缩小不同IC之间的距离，提高芯片的计算速度。 关于制作方法，在IC设计时间分别汇总不同的IC，按照之前介绍的设计流程制作掩模。


但是，SoC不仅有好处，设计SoC还需要相当大的技术合作。 如果每个IC芯片都封装在一起，每个IC芯片都有封装的外部保护，IC和IC之间的距离很远，可能不会发生相互干扰。 但是把所有的IC一起包装是噩梦的开始。 IC设计工厂从以往的简单设计IC变更为理解并综合各自功能的IC，增加工程师的工作量。 此外，还会遇到通信芯片的高频信号可能会影响其他功能的IC等很多情况。